英飞凌为航天工业供抗辐射NOR闪存
已有 5 次阅读 1小时前英飞凌infineon宣布推出业界首款用于太空和极端环境应用的512MbitQSPINOR闪存。低功耗蓝牙新设备提供了一个快速的四串行外围接口（133MHz），并在完全符合QML标准的非易失性存储器中提供了最高的密度、辐射和单事件效应（SEE）性能，可用于空间级FPGA和微处理器。
该新设备部分由美国空军研究实验室、航天器理事会（AFRL）资助，并与微电子研究开发公司（Micro-RDC）联合开发，基于英飞凌经过现场验证的SONOS（氧化硅-氮化物-氧化物-硅）电荷栅极陷波技术，运行速度比低密度替代品快30%。
英飞凌为航天工业供抗辐射NOR闪存
AFRL太空电子技术项目经理RichardMarquez表示：下一代太空级系统的设计师继续要求高可靠性、高密度存储器，与英飞凌和Micro-RDC等行业领导者合作，开发了一种技术解决方案，该方案将高密度和快速数据速率与优于替代品的辐射性能相结合。
Micro-RDC总裁JosephCuchiaro表示：英飞凌的防辐射设计NOR闪存是Micro-RDC极端应用环境解决方案系列的理想补充，随着512Mbit密度设备的可用性，设计人员将能够实现具有性能的系统，以满足比以前更广泛的任务配置文件的严格要求。
英飞凌infineon科技公司副总裁兼航空航天与国防研究员HelmutPuchner表示：英飞凌infineon将512MbitNOR闪存扩展到其rad硬盘产品组合，进一步证明了我们致力于为下一代空间需求提供高可靠性和高性能存储器的承诺，与AFRL和Micro-RDC的合作推动了行业最先进的技术，以解决太空应用中遇到的极端环境，这些技术将提高关键卫星功能的性能。
英飞凌infineon的SONOS技术是密度和速度的独特结合，以及无与伦比的辐射性能的基础，具有高达10000P/E的出色耐久性和长达10年的数据保留期。133MHzQSPI接口为空间级FPGA和处理器提供了快速的数据传输速率。陶瓷QFP（QML-V）封装占用1“x1”的电路板面积，还有更小尺寸的塑料TQFP（QML-P）0.5“x0.8”可供选择。此外，该设备为空间FPGA引导代码解决方案提供了最高密度的TID/SEE性能组合，具有DLAM认证的QML-V/P符合最严格的行业资格。
该设备的典型用例包括用于空间级FPGA的配置映像存储和用于空间级多核处理器的独立引导代码存储。
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